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2SC4217B

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2SC4217B 技術參數

2SC4215-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 30V 550MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 5dB @ 100MHz 增益:17dB ~ 23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4215-O(TE85L,F) 功能描述:RF TRANS NPN 30V 20MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4213BTE85LF 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 3mA，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4213-A(TE85L,F) 功能描述:TRANS NPN 20V 300MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 3mA，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:30MHz 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4212H 功能描述:TRANS NPN 300V 0.2A TO-126 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126B-A1 標準包裝:1,000 2SC4301 2SC4304 2SC4381 2SC4382 2SC4388 2SC43910RA 2SC441000L 2SC4420 2SC4445 2SC4466 2SC4467 2SC4468 2SC4482T-AN 2SC4482U-AN 2SC4486S-AN 2SC4486T-AN 2SC4487S-AN 2SC4487T-AN