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參數資料
| 型號： | 5KP11CB-2 |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 419K |
| 代理商： | 5KP11CB-2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP12AB-2 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP14AB-2 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP30B-2 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP36CB-2 | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP64T-2 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 5KP11CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5000W, STAND-OFF VOLTAGE = 11V, ? 10%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 5KW 11V 10% BIDIR P600 |
| 5KP11C-T | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 10% bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 5KP11C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 11V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
| 5KP11E3/TR13 | 功能描述:TVS DIODE 11VWM 20.1VC P600 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:11V 電壓 - 擊穿（最小值）:12.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:20.1V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:249A 功率 - 峰值脈沖:5000W（5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:P600，軸向 供應商器件封裝:P600 標準包裝:500 |
| 5KP11-G | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:5000W Transient Voltage Suppressor |
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