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參數資料
| 型號： | 5KP120AHE3/54 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 5KP120AHE3/54 |
5KP5.0 thru 5KP188A
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88308
Revision: 21-Oct-08
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1
TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
FEATURES
P600, glass passivated chip junction
Available in uni-directional polarity only
5000 W peak pulse power capability with a
10/1000 s waveform, repetitive rate (duty
cycle): 0.01 %
Excellent clamping capability
Very fast response time
Low incremental surge resistance
Solder dip 260 °C, 40 s
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and
lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units
for consumer, computer, industrial, automotive and
telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case: Molded epoxy body over passivated junction
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/
automotive grade (AEC Q101 qualified)
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3
suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity: Color band denotes cathode end
PRIMARY CHARACTERISTICS
VWM
5.0 V to 188 V
PPPM
5000 W
PD
8.0 W
IFSM
500 A
TJ max.
175 °C
Case Style P600
Notes:
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25 °C per Fig. 2
(2) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 s waveform (1)
PPPM
5000
W
Peak pulse current with a 10/1000 s waveform (1)
IPPM
See next table
A
Power dissipation on infinite heatsink at TL = 75 °C (Fig. 5)
PD
8.0
W
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave (Fig. 5)
IFSM
600
A
Instantaneous forward voltage at 100 A (2)
VF
3.5
V
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 55 to + 175
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP130AHE3/54 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP150HE3/54 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP15AHE3/54 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP170AHE3/54 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP170HE3/54 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 5KP120A-HR | 功能描述:TVS DIODE 120VWM 193VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:5KP-HR 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:120V 電壓 - 擊穿（最小值）:133V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:193V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:26.4A 功率 - 峰值脈沖:5000W（5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:P600，軸向 供應商器件封裝:P600 標準包裝:800 |
| 5KP120A-HRA | 功能描述:TVS DIODE 120VWM 193VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:5KP-HRA 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:120V 電壓 - 擊穿（最小值）:133V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:193V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:26.4A 功率 - 峰值脈沖:5000W（5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:P600，軸向 供應商器件封裝:P600 標準包裝:800 |
| 5KP120A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 DIODE TVS 5000W 11V BIDIR R-6 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 5KP120-B | 功能描述:TVS AXIAL HI POWER RoHS:否 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:5KP 標準包裝:750 系列:- 電壓 - 反向隔離（標準值）:40V 電壓 - 擊穿:44.4V 功率（瓦特）:6600W 電極標記:單向 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-218AB 供應商設備封裝:DO-218AB 包裝:帶卷 (TR) |
| 5KP120C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 120Vso 94VAC 23A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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