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6A110/3A16

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6A110/3A16 技術參數

6A10-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 6A10TA 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:500 6A10-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 6A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 6A10GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 6A10GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 6A11-A0121-010.0-0 6A11-A0121-011.0-0 6A11-A0121-012.0-0 6A11-A0121-013.0-0 6A11-A0121-014.0-0 6A11-A0121-015.0-0 6A11-A0121-016.0-0 6A11-A0121-017.0-0 6A11-A0121-018.0-0 6A11-A0121-019.0-0 6A11-A0121-020.0-0 6A11-A0121-021.0-0 6A11-A0121-022.0-0 6A11-A0121-023.0-0 6A11-A0121-024.0-0 6A11-A0121-025.0-0 6A11-A0121-026.0-0 6A11-A0121-027.0-0