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6A8M

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  • 制造商
  • CHONGQING
  • 制造商全稱
  • CHONGQING
  • 功能描述
  • TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
6A8M 技術參數
  • 6A80GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 6A80GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 6A80GHA0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:700 6A80G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 6A80G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 6AT124-T 6AT13 6AT13-T2 6AT158-T2 6AT17 6AT17-T2 6AT1-T 6AT2 6AT23 6AT29 6AT2-T 6AT3 6AT354 6AT3-T 6AT4 6AT42 6AT501 6AT501-T
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