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參數資料
| 型號： | 65DN06 |
| 英文描述： | ±15kV ESD-Protected, Single/Dual/Octal, CMOS Switch Debouncers |
| 中文描述： | SCR /二極管Presspacks |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | 65DN06 |
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= - 25°C...T
vj max
V
RRM
200, 400
V
V
600
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
250, 450
V
V
650
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
13300
A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
K
= 98 °C
I
FAVM
8470
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
103
95
kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I2t
53
45
A2s*10
6
A2s*10
6
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 10kA
v
F
max.
0,98
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,7
V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,027
m
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
100
mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
Θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
Θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
Θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max. 0,0047
max. 0,0040
max.
max.
max.
max.
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
R
thCK
max. 0,0025
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
180
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
- 40...+180
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
- 40...+180
°C
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther
A 115/98
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 65E-1C-15.5 | FO CERAMIC 62.5 PVC ST-ST 2M PATCH |
| 65E-2C-38.0 | TRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523 |
| 65E-1C-2.75 | E Rated Medium Voltage Fuses |
| 65E-1C-5.5 | E Rated Medium Voltage Fuses |
| 65E-1C-8.25 | E Rated Medium Voltage Fuses |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 65DN06 ELEM | 功能描述:整流器 600V 8.47KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 65DN06 ELEM PR | 功能描述:整流器 600V 8.47KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 65DN06 ELEM.(EV.MIT PR | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| 65DN06ELEMENT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| 65DN06ELEMPRXPSA1 | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8470A 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8470A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:980mV @ 10000A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100mA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:DO-200AB，B-PUK 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-40°C ~ 180°C 標準包裝:1 |
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