- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄92444 > 6A10G 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 6A10G |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, R-6, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | 6A10G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6A05G | 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A2G | 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A6G | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A8G | 6 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A1G | 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 6A10-G | 功能描述:整流器 VR=1000 IO=6.0A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 6A10G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:700 |
| 6A10G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 |
| 6A10G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 100V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
| 6A10G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。