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參數資料
| 型號： | 6A20G |
| 廠商： | DAESAN ELECTRONICS CORPORATION |
| 英文描述： | CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts |
| 中文描述： | 電流6.0安培電壓50至1000伏特 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 6A20G |
6A05G THRU 6A100G
Features
Mechanical Data
· The plastic package carries Underwrites Laboratory
Flammability Classification 94V-0
· High current capability
· Low reverse leakage
· Glass passivated junction
· Low forward voltage drop
· High temperature soldering guaranteed : 350
0.375"(9.5mm) lead length, 5 lbs, (2.3kg) tension
/10 seconds,
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
· Case : P-6 molded plastic body
· Terminals : Lead solderable per MIL-STD-750,
method 2026
· Polarity : Color band denotes cathode end
· Mounting Position : Any
· Weight : 0.007 ounce, 2.1 gram
(Ratings at 25
load. For capacitive load, derate by 20%)
ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive
Notes:
(1) Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
(2) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375"(9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
with 1.1 1.1"(30 30mm) copper pads.
CURRENT 6.0 Amperes
VOLTAGE 50 to 1000 Volts
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Volts
Peak forward surge current 8.3ms half sine
wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
V
DC
Maximum average forward rectified current
0.375"(9.5mm) lead length (see Fig.1)
Maximum instantaneous forward voltage
at 6.0A
V
RRM
Volts
Symbols
Units
1.1
V
F
V
RMS
6.0
Amps
400.0
I
FSM
T
J
T
STG
100.0
-50 to +175
Volts
Amps
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical thermal resistance (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 1)
Operating and storage temperature range
50
6A05G
35
50
10.0
20.0
4.0
Volts
A
/W
pF
I
(AV)
I
R
R
JL
R
JA
T
A
=25
T
A
=100
150
C
J
100
6A10G
70
100
200
6A20G
140
200
400
6A40G
280
400
600
6A60G
420
600
800
6A80G
560
800
1000
6A100G
700
1000
Dimensions in inches and (millimeters)
P-6
1.0(25.4)
MIN.
1.0(25.4)
MIN.
0.360(9.1)
0.340(8.6)
0.052(1.3)
0.048(1.2)
DIA.
0.360(9.1)
0.340(8.6)
DIA.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6A40G | CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts |
| 6A2 | 6.0 AMP.SILICON RECTIFIERS |
| 6A4 | 6.0 AMP.SILICON RECTIFIERS |
| 6A6 | 6.0 AMP.SILICON RECTIFIERS |
| 6A8 | 6.0 AMP.SILICON RECTIFIERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 6A20G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:700 |
| 6A20G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 |
| 6A20G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
| 6A20G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 6A20GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:700 |
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