型號: | 6A595 |
廠商: | Allegro MicroSystems, Inc. |
英文描述: | 8-BIT SERIAL-INPUT, DMOS POWER DRIVER |
中文描述: | 8位串行輸入,DMOS功率驅動 |
文件頁數: | 1/10頁 |
文件大小: | 176K |
代理商: | 6A595 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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6AM11 | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
6AM12 | Silicon N-Channel/P-Channel Complementary Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
6AM13 | Silicon N-Channel/P-Channel Complementary Power MOS FET Array |
6AM14 | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array |
6AM15 | Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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6A6 | 功能描述:RECTIFIER 6A 600V R-6 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
6A60 | 功能描述:整流器 6A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
6A60 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 600V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
6A60G | 功能描述:整流器 6.0 Amp 600 Volt 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
6A60G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:700 |