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參數資料
| 型號： | 6A8 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 6 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | R-6, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 6A8 |
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
6A05
thru
6A10
6 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
R-6
Features
Low Cost
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Surge Current Capability
Low Leakage
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.340
.360
8.60
9.10
B
.340
.360
8.60
9.10
C
.048
.052
1.20
1.30
D
1.000
---
25.40
---
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65
°C to +175°C
Storage Temperature: -65
°C to +175°C
Maximum Thermal Resistance; 10
°C/W Junction To Ambient
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
6A05
50V
35V
50V
6A1
100V
70V
100V
6A2
200V
140V
200V
6A4
400V
280V
400V
6A6
600V
420V
600V
6A8
800V
560V
800V
6A10
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
6.0A
TA = 60
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
400A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
0.95V
IFM = 6.0A;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
10
A
100
A
TJ = 25
°C
TJ = 100
°C
Typical Junction
Capacitance
CJ
150pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 1%
A
B
D
C
Cathode
Mark
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6A4 | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A2 | 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A10 | 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A6 | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A05 | 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 6A80 | 功能描述:整流器 6A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 6A80 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 800V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
| 6A80G | 功能描述:整流器 6.0 Amp 800 Volt 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 6A80G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:700 |
| 6A80G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 |
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