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參數資料
型號: 6KA24-HE3/54
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: TVS二極管 - 瞬態電壓抑制
英文描述: 6000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 70K
代理商: 6KA24-HE3/54
6KA24
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88309
Revision: 08-Feb-11
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1
PAR Transient Voltage Suppressors
High Temperature Stability and High Reliability Conditions
FEATURES
Junction
passivation
optimized
design
passivated anisotropic rectifier technology
TJ = 185 °C capability suitable for high
reliability and automotive requirement
Excellent clamping capability
Low leakage current
High surge capability
Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
AEC-Q101 qualified
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
Use
in
sensitive
electronics
protection
against
voltage transients induced by inductive load switching
and lighting, especially for automotive load dump
protection application.
MECHANICAL DATA
Case: P600, molded epoxy over passivated junction
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
HE3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity: Color band denotes cathode end
Notes
(1) Non-repetitive current pulse, per fig. 2, with a 10/1000 s waveform
(2) Non-repetitive current pulse, per fig. 5, with a 10 s/50 ms waveform
(3) Measured on 8.3 ms half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum
PRIMARY CHARACTERISTICS
VWM
24 V
PPPM (10 x 1000 s)
6000 W
PPPM (10 s/50 ms)
2000 W
PD
6.5 W
IRSM
90 A
IFSM
400 A
TJ max.
185 °C
P600
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Peak pulse power dissipation
with 10/1000 s waveform (1)
with 10 s/50 ms waveform (2)
PPPM
6000
2000
W
Power dissipation on infinite heatsink at TL = 75 °C (fig. 3)
PD
6.5
W
Maximum working stand-off voltage
VWM
24
V
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave (3)
IFSM
400
A
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 65 to + 185
°C
相關PDF資料
PDF描述
6KA24HE3/54 6000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
6KA24 6500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
6KA24 6000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
6KA24/4 6000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
6KA24/1 6000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
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參數描述
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