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參數資料
| 型號： | 6MBI100S-060 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-39 |
| 文件頁數： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 535K |
| 代理商： | 6MBI100S-060 |
H04-004-03
MS5F5327
13
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
250
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 25℃ (typ.)
C
Collect or - Emitter vol tage : VCE [ V ]
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
250
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 125℃ (typ.)
Col lector - Emitter vol tage : VCE [ V ]
C
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
Tj= 25℃
Tj= 125℃
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
VGE=15V (typ.)
Collect or - Emitter vol tage : VCE [ V ]
C
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Ic= 50A
Ic=100A
Ic=200A
[ Inverter ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage
Tj= 25℃ (typ.)
C
Gate - Emitter vol tage : VGE [ V ]
0
5
10
15
20
25
30
35
500
1000
5000
10000
50000
[ Inverter ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25℃
C
Collect or - Emitter vol tage : VCE [ V ]
Coes
Cres
Cies
0
100
200
300
400
500
600
0
100
200
300
400
500
[ Inverter ]
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=300V, Ic=100A, Tj= 25℃
Gate ch arge : Qg [ nC ]
C
0
5
10
15
20
25
G
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI100U4B-120 | IGBT MODULE |
| 6MBI100U4B-170 | IGBT MODULE |
| 6MBI10S-120L | IGBT MODULE(1200V 6x10A) |
| 6MBI150U4B-120 | IGBT MODULE |
| 6MBI150U4B-170 | IGBT MODULE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 6MBI100S-140 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
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