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參數資料
型號: 74VHCT04A
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
元件分類: 電容
英文描述: CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
中文描述: 陶瓷芯片/mil-prf-55681
文件頁數: 3/7頁
文件大小: 52K
代理商: 74VHCT04A
DC SPECIFICATIONS
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
CC
(V)
Value
Unit
T
A
= 25
o
C
Min.
Typ.
2
-40 to 85
o
C
Min.
2
Max.
Max.
V
IH
High Level Input
Voltage
Low Level Input
Voltage
High Level Output
Voltage
4.5 to 5.5
V
V
IL
4.5 to 5.5
0.8
0.8
V
V
OH
4.5
4.5
4.5
4.5
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-8 mA
I
O
=50
μ
A
I
O
=8 mA
V
I
= 5.5V or GND
V
I
= V
CC
orGND
4.4
3.94
4.5
4.4
3.8
V
V
OL
Low Level Output
Voltage
0.0
0.1
0.36
±
0.1
2
0.1
0.44
±
1.0
20
V
I
I
Input Leakage Current
Quiescent Supply
Current
Additional Worst Case
Supply Current
0 to 5.5
5.5
μ
A
μ
A
I
CC
I
CC
5.5
One Input at 3.4V,
other input at V
CC
or
GND
V
OUT
= 5.5V
1.35
1.5
mA
I
OPD
Output Leakage
Current
0
0.5
5.0
μ
A
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Value
Unit
T
A
= 25
o
C
Min.
Typ.
-40 to 85
o
C
Min.
Max.
10
Max.
10
C
IN
C
PD
Input Capacitance
Power Dissipation
Capacitance (note 1)
4
pF
pF
14
1)C
PD
isdefined as thevalue oftheIC’sinternal equivalent capacitance whichiscalculated fromtheoperatingcurrent consumption without load.(Referto
TestCircuit).Average operatingcurrent canbeobtained bythefollowingequation.I
CC
(opr)=C
PD
V
CC
f
IN
+I
CC
/6(per Gate)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Inputt
r
= t
f
=3 ns)
Symbol
Parameter
Test Condition
V
CC
(*)
(V)
(pF)
Value
Unit
C
L
T
A
= 25
o
C
Min.
Typ.
-40 to 85
o
C
Min.
1.0
1.0
Max.
6.7
7.7
Max.
7.5
8.5
t
PLH
t
PHL
Propagation Delay
Time
5.0
5.0
15
50
4.7
5.5
ns
(*)Voltagerange is5V
±
0.5V
74VHCT04A
3/7
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PDF描述
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參數描述
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