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參數資料
| 型號： | 74VHCT04AM |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Octal Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 十六進制逆變器 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 74VHCT04AM |
DC SPECIFICATIONS
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
CC
(V)
Value
Unit
T
A
= 25
o
C
Min.
Typ.
2
-40 to 85
o
C
Min.
2
Max.
Max.
V
IH
High Level Input
Voltage
Low Level Input
Voltage
High Level Output
Voltage
4.5 to 5.5
V
V
IL
4.5 to 5.5
0.8
0.8
V
V
OH
4.5
4.5
4.5
4.5
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-8 mA
I
O
=50
μ
A
I
O
=8 mA
V
I
= 5.5V or GND
V
I
= V
CC
orGND
4.4
3.94
4.5
4.4
3.8
V
V
OL
Low Level Output
Voltage
0.0
0.1
0.36
±
0.1
2
0.1
0.44
±
1.0
20
V
I
I
Input Leakage Current
Quiescent Supply
Current
Additional Worst Case
Supply Current
0 to 5.5
5.5
μ
A
μ
A
I
CC
I
CC
5.5
One Input at 3.4V,
other input at V
CC
or
GND
V
OUT
= 5.5V
1.35
1.5
mA
I
OPD
Output Leakage
Current
0
0.5
5.0
μ
A
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Value
Unit
T
A
= 25
o
C
Min.
Typ.
-40 to 85
o
C
Min.
Max.
10
Max.
10
C
IN
C
PD
Input Capacitance
Power Dissipation
Capacitance (note 1)
4
pF
pF
14
1)C
PD
isdefined as thevalue oftheIC’sinternal equivalent capacitance whichiscalculated fromtheoperatingcurrent consumption without load.(Referto
TestCircuit).Average operatingcurrent canbeobtained bythefollowingequation.I
CC
(opr)=C
PD
V
CC
f
IN
+I
CC
/6(per Gate)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Inputt
r
= t
f
=3 ns)
Symbol
Parameter
Test Condition
V
CC
(*)
(V)
(pF)
Value
Unit
C
L
T
A
= 25
o
C
Min.
Typ.
-40 to 85
o
C
Min.
1.0
1.0
Max.
6.7
7.7
Max.
7.5
8.5
t
PLH
t
PHL
Propagation Delay
Time
5.0
5.0
15
50
4.7
5.5
ns
(*)Voltagerange is5V
±
0.5V
74VHCT04A
3/7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 74VHCT04AT | CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681 |
| 74VHCT04AM | Octal Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 |
| 74VHCT04AMTC | CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681 |
| 74VHCT04AMTCX | Octal Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 |
| 74VHCT04AMX | Octal Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 74VHCT04AM_Q | 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| 74VHCT04AMTC | 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| 74VHCT04AMTC_Q | 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| 74VHCT04AMTCX | 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| 74VHCT04AMTCX_NL | 功能描述:變換器 FINISHED GOOD RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
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