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參數資料
| 型號： | 80143 |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | 80143 |
GHz TECHNOLOGY INC. RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE. GHz RECOMMENDS THAT
BEFORE THE PRODUCT(S) DESCRIBED HEREIN ARE WRITTEN INTO SPECIFICATIONS, OR USED IN CRITICAL APPLICATIONS,
THAT THE PERFORMANCE CHARACTERISTICS BE VERIFIED BY CONTACTING THE FACTORY.
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80143
1.0 Watts, 15 Volts, Class A
Linear to 2300 MHz
GENERAL DESCRIPTION
The 80143 is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 1.0
Watts of Class A, RF output power to 2300 MHz. This transistor is
specifically designed for general Class A amplifier applications. It utilizes
gold metalization and diffused ballasting to provide high reliability and
supreme ruggedness. The transistor uses a fully hermetic High Temperature
Solder Sealed package.
CASE OUTLINE
55BT, STYLE 2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Power Dissipation @ 25 C 4.5 Watts
Maximum Voltage and Current
BVces Collector to Emitter Voltage 50 Volts
BVebo Emitter to Base Voltage 3.5 Volts
Ic Collector Current 0.6 Amps
Maximum Temperatures
Storage Temperature - 65 to + 200 C
Operating Junction Temperature + 200 C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 C
SYMBOL
CHARACTERISTICS
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Pout
Pin
Pg
Ft
VSWR
Power Out
Power Input
Power Gain
Transition Frequency
Load Mismatch Tolerance
F = 2.3 GHz
Ic = 200 mA
Vcc = 15 Volts
Vce = 15V, Ic =200
mA
1.0
9.0
4.2
10.0
4.5
0.125
10:1
Watts
Watts
dB
GHz
BVebo
BVces
BVceo
h
Cob
θ
jc
Emitter to Base Breakdown
Collector to Emitter Breakdown
Collector to Emitter Breakdown
DC Current Gain
Capacitance
Thermal Resistance
Ie = 2 mA
Ic = 20 mA
Ic = 20 mA
Vce = 5 V, Ic = 200 mA
Vcb = 28V, f = 1 MHz
3.5
50
20
20
3.4
30
Volts
Volts
Volts
pF
C/W
o
Initial Issue June, 1994
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 801M | 1.5A Dual MOSFET Driver, -40C to +85C, 8-MSOP, TUBE |
| 85403 | SECHSKANT KUGELKOPF SATZ 12TLG |
| 85407 | SECHSKANT KUGELKOPF SATZ 9TLG |
| 802_15_4FACT | 1.5A DUAL MOSFET DRVR, -40C to +125C, 8-DFN, TUBE |
| 802-907 | 1.5A DUAL MOSFET DRIVER, 0C to +70C, 8-MSOP, TUBE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 80143 SL005 | 功能描述:4 Conductor Multi-Conductor Cable Slate 16 AWG Braid 100.0' (30.5m) 制造商:alpha wire 系列:EcoFlex? PUR 零件狀態:有效 電纜類型:多芯 導體數:4 線規:16 AWG 導線股數:65/34 導體材料:銅，鍍錫 護套（絕緣）材料:聚氨脂（PU） 護套（絕緣）直徑:0.291"（7.39mm） 屏蔽類型:編織線 長度:100.0'（30.5m） 套管顏色:瓦色 等級:- 特性:- 電壓:600V 工作溫度:-50°C ~ 90°C 使用:- 導體絕緣:聚苯醚（PPE） 護套（絕緣）厚度:0.032"（0.81mm） 屏蔽材料:銅，鍍錫 屏蔽范圍:85% 標準包裝:1 |
| 801-43-001-10-001000 | 功能描述:CONN SOCKET STRIP 01PIN .100 STR RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 矩形- 接頭，插座，母插口 系列:801 產品目錄繪圖:SSQ, SSW Right Angle Dual 標準包裝:1 系列:SSQ 連接器類型:插座 觸點類型：:母形插口 位置數:12 加載位置的數目:全部 間距:0.100"（2.54mm） 行數:2 行間距:0.100"（2.54mm） 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 緊固型:- 特點:- 觸點表面涂層:錫 觸點涂層厚度:- 顏色:黑 包裝:散裝 配套產品:TSW-106-24-G-D-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBLTSW-106-14-F-D-LL-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBLTSW-106-07-F-D-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBLTSM-106-02-S-DH-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBL SMDTSM-106-01-T-DV-P-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBL SMDTSM-106-01-T-DV-A-P-TR-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBL SMDTSM-106-01-T-DV-A-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBL SMDTSM-106-01-T-DH-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBL SMDTSM-106-01-L-DV-M-TR-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBL SMDTSM-106-01-L-DV-ND - CONN HEADER 12POS .100" DBL SMD更多... 其它名稱:SAM1205-06 |
| 801-43-001-10-002000 | 制造商:Mill-Max Mfg Corp 功能描述:Conn Socket Strip SKT 1 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole |
| 801-43-001-10-003000 | 制造商:Mill-Max Mfg Corp 功能描述:CONN SCKT 1POS .100" SNGL ROW |
| 801-43-001-10-004000 | 功能描述:CONN SKT STRIP SLDRTL 制造商:mill-max manufacturing corp. 系列:801 包裝:散裝 零件狀態:在售 連接器類型:插座 觸頭類型:母形插口 樣式:板至板 針腳數:1 加載的針腳數:全部 間距 - 配接:- 排數:1 行間距 - 配接:- 安裝類型:通孔 端接:焊接 緊固類型:推挽式 觸頭表面處理 - 配接:金 觸頭表面處理厚度 - 配接:30μin（0.76μm） 絕緣顏色:黑色 絕緣高度:0.272"（6.91mm） 接觸長度 - 接線柱:0.118"（3.00mm） 工作溫度:-55°C ~ 125°C 材料可燃性等級:UL94 V-0 觸頭表面處理 - 柱:錫 接合堆疊高度:- 侵入防護:- 特性:- 額定電流:4.5A 額定電壓:- 應用:- 絕緣材料:聚對苯二甲酸二甲基環己酯（PCT），聚酯 觸頭形狀:圓形 觸頭材料:銅鈹 觸頭表面處理厚度 - 柱:200μin（5.08μm） 標準包裝:50 |
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