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參數資料
型號: 933601740163
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: TVS二極管 - 瞬態電壓抑制
英文描述: 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝: HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數: 3/9頁
文件大小: 52K
代理商: 933601740163
1996 Jun 11
3
Philips Semiconductors
Product specication
Voltage regulator diodes
BZT03 series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Total series
Tj =25 °C unless otherwise specified.
Per type when used as voltage regulator diodes
Tj =25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
IF = 0.5 A; see Fig.5
1.2
V
TYPE
No.
SUFFIX
(1)
WORKING VOLTAGE
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
TEMPERATURE
COEFFICIENT
TEST
CURRENT
REVERSE CURRENT
at REVERSE VOLTAGE
VZ (V) at IZ
rdif ()atIZ
SZ (%/K) at IZ
IZ (mA)
IR (A)
VR (V)
MIN.
NOM.
MAX.
TYP.
MAX.
MIN.
MAX.
C7V5
7.0
7.5
7.9
1
2
0.00
0.07
100
750
5.6
C8V2
7.7
8.2
8.7
1
2
0.03
0.08
100
600
6.2
C9V1
8.5
9.1
9.6
2
4
0.03
0.08
50
20
6.8
C10
9.4
10
10.6
2
4
0.05
0.09
50
10
7.5
C11
10.4
11
11.6
4
7
0.05
0.10
50
4
8.2
C12
11.4
12
12.7
4
7
0.05
0.10
50
3
9.1
C13
12.4
13
14.1
5
10
0.05
0.10
50
2
10
C15
13.8
15
15.6
5
10
0.05
0.10
50
1
11
C16
15.3
16
17.1
6
15
0.06
0.11
25
1
12
C18
16.8
18
19.1
6
15
0.06
0.11
25
1
13
C20
18.8
20
21.2
6
15
0.06
0.11
25
1
15
C22
20.8
22
23.3
6
15
0.06
0.11
25
1
16
C24
22.8
24
25.6
7
15
0.06
0.11
25
1
18
C27
25.1
27
28.9
7
15
0.06
0.11
25
1
20
C30
28
30
32
8
15
0.06
0.11
25
1
22
C33
31
33
35
8
15
0.06
0.11
25
1
24
C36
34
36
38
21
40
0.06
0.11
10
1
27
C39
37
39
41
21
40
0.06
0.11
10
1
30
C43
40
43
46
24
45
0.07
0.12
10
1
33
C47
44
47
50
24
45
0.07
0.12
10
1
36
C51
48
51
54
25
60
0.07
0.12
10
1
39
C56
52
56
60
25
60
0.07
0.12
10
1
43
C62
58
62
66
25
80
0.08
0.13
10
1
47
C68
64
68
72
25
80
0.08
0.13
10
1
51
C75
70
75
79
30
100
0.08
0.13
10
1
56
C82
77
82
87
30
100
0.08
0.13
10
1
62
C91
85
91
96
60
200
0.09
0.13
5
1
68
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933624770113 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34
933641020127 9 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
933662020127 9 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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