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參數資料
| 型號： | 933624760116 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 933624760116 |
2000 May 25
3
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diode
BAT85
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C; unless otherwise specied.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOD68 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
see Fig.3
IF = 0.1 mA
240
mV
IF = 1 mA
320
mV
IF = 10 mA
400
mV
IF = 30 mA
500
mV
IF = 100 mA
800
mV
IR
reverse current
VR = 25 V; see Fig.4
2
A
trr
reverse recovery time
when switched from IF = 10 mA to
IR = 10 mA; RL = 100 ;
measured at IR = 1 mA; see Fig.6
4ns
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz; VR = 1 V; see Fig.5
10
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
320
K/W
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