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參數資料
型號: 934003620115
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN
文件頁數: 3/8頁
文件大小: 43K
代理商: 934003620115
1998 Jun 24
3
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diodes
BAS81; BAS82; BAS83
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Note
1. Pulsed test: tp = 300 s; δ = 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOD80 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
see Fig.2
IF = 0.1 mA
330
mV
IF =1mA
410
mV
IF =15mA
1V
IR
reverse current
VR =VRmax; see Fig.3
200
nA
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz; VR = 2 V; see Fig.4
1.6
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
320
K/W
相關PDF資料
PDF描述
934003620135 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE
934003630115 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE
934005980113 0.1 A, 3000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
934005980153 0.1 A, 3000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
934009370113 3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數描述
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