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A2G35S200-01SR3

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說明
操作

A2G35S200-01SR3
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
96085
NXP Semiconductors
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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功能描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
制造商
nxp usa inc.
系列
-
零件狀態
在售
晶體管類型
LDMOS
頻率
3.4GHz ~ 3.6GHz
增益
16.1dB
電壓 - 測試
48V
額定電流
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
291mA
功率 - 輸出
180W
電壓 - 額定
125V
封裝/外殼
NI-400S-2S
供應商器件封裝
NI-400S-2S
標準包裝
250

A2G35S200-01SR3 技術參數

A2G35S160-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:15.7dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:190mA 功率 - 輸出:51dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2G26H281-04SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:2.496GHz ~ 2.69GHz 增益:14.2dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:50W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-780S-4L 供應商器件封裝:NI-780S-4L 標準包裝:250 A2G26H280-04SR3 A2G22S251-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 2.2GHz 增益:17.7dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:52dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2G22S160-01SR3 功能描述:RF Mosfet 48V 150mA 2.11GHz 19.6dB 32W NI-400S-240 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:* 頻率:2.11GHz 增益:19.6dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-240 供應商器件封裝:NI-400S-240 標準包裝:250 A2I20H060NR1 A2I20H080GNR1 A2I20H080NR1 A2I22D050GNR1 A2I22D050NR1 A2I25D012GNR1 A2I25D012NR1 A2I25D025GNR1 A2I25D025NR1 A2I25H060GNR1 A2I25H060NR1 A2I35H060GNR1 A2I35H060NR1 A-2JA A2MXS-1006G A2MXS-1006M A2MXS-1018G A2MXS-1018M