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A2TE1270A

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A2TE1270A 技術參數

A2T27S020NR1 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:400MHz ~ 2.7GHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數:- 電流 - 測試:185mA 功率 - 輸出:20W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:TO-270-2 供應商器件封裝:TO-270-2 標準包裝:500 A2T27S020GNR1 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:400MHz ~ 2.7GHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數:- 電流 - 測試:185mA 功率 - 輸出:20W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:TO-270BA 供應商器件封裝:TO-270G-2 標準包裝:500 A2T27S007NT1 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:728MHz ~ 3.6GHz 增益:- 額定電流:- 噪聲系數:- 功率 - 輸出:28.8dBm 電壓 - 額定:28V 封裝/外殼:16-VDFN 裸焊盤供應商器件封裝:16-DFN（6x4）標準包裝:1,000 A2T26H300-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 2.5GHz 14.5dB 60W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:2.5GHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:800mA 功率 - 輸出:60W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標準包裝:150 A2T26H165-24SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 400mA 2.5GHz 14.7dB 32W NI-780S-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:2.5GHz 增益:14.7dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:400mA 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-4L2L 供應商器件封裝:NI-780S-4L2L 標準包裝:250 A301-100-F3 A30110204 A30110204MP A30110207 A301103 A30110307 A301104 A30110404 A30110404MT A30110407 A30110407MP A301105 A30110507MP A30110604 A30110607 A301107 A30110704 A30110804