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ALD212620DN-S

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  • 制造商
  • IDEC CORPORATION
  • 功能描述
  • TWTD ILL PB Extd Mom Xfrmr 120
ALD212620DN-S 技術(shù)參數(shù)
  • ALD210814SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對(duì) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210814PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對(duì) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210808SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對(duì) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210808PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對(duì) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210808ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對(duì) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212908ASAL ALD212908PAL ALD212908SAL ALD212914PAL ALD212914SAL ALD214012PJ111 ALD2301APAL ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL ALD2301CPAL ALD2301CSAL ALD2301PAL ALD2301SAIL ALD2301SAL ALD2302APAL ALD2302ASAL ALD2302PAL
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