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AO4286 MOS(場效應管)

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AO4286 MOS(場效應管) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AO4286 MOS(場效應管) 技術參數

AO4286 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:390pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000 AO4268 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.8 毫歐 @ 19A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4266E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:755pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.5 毫歐 @ 11A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4266 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1340pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:3,000 AO4264E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.8 毫歐 @ 13.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4310 AO4312 AO4314 AO4354 AO4402 AO4403 AO4403L AO4404B AO4404BL AO4404BL_101 AO4405E AO4405L AO4406 AO4406A AO4407A AO4407B AO4407BL AO4407L