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AO4435__AO4407A

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AO4435__AO4407A 技術(shù)參數(shù)
  • AO4435 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4433 功能描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4430 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:124nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7270pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4427 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 12.5A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4425 功能描述:MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:38V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 14A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4442 AO4443 AO4444 AO4446 AO4447 AO4447A AO4448 AO4448L AO4449 AO4449L AO4450 AO4450_101 AO4450L AO4452 AO4453 AO4454 AO4455 AO4456
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