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AO4880M

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AO4880M 技術(shù)參數(shù)
  • AO4862E 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 4.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):46 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):215pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO4862 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):200pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO4854L_102 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4854 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO4852L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):450pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4932 AO4946 AO4952 AO5401E AO5404E AO5404E_001 AO5404EL AO5600E AO5800E AO5803E AO5804E AO5804EL AO6085N03 AO6400 AO6401A AO6402A AO6402L AO6403
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