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AO4924L/AO4924

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  • AO4924L/AO4924
    AO4924L/AO4924

    AO4924L/AO4924

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 3000

  • AOS

  • SOP-8

  • 14GB

  • -
  • 原裝現貨/特價

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
AO4924L/AO4924 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AO4924L/AO4924 技術參數
  • AO4924L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15.8 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1885pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4924 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15.8 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1885pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4914L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20.5 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):865pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4914_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20.5 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):865pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4892 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):415pF @ 50V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000 AO5803E AO5804E AO5804EL AO6085N03 AO6400 AO6401A AO6402A AO6402L AO6403 AO6403L AO6404 AO6405 AO6408 AO6409 AO6409_102 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102
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