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AO6401A/AO6401

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AO6401A/AO6401
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TY/臺灣半導體
SOT23-6
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

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AO6401A/AO6401 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AO6401A/AO6401 技術參數

AO6401A 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:44 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1180pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 AO6400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 6.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1030pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 AO6085N03 功能描述:MOSFET N-CH 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），50A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），31W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AO5804EL 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SC-89-6 標準包裝:3,000 AO5804E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SC-89-6 標準包裝:1 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102 AO6411 AO6414 AO6415 AO6420 AO6424 AO6424A AO6601 AO6601_001 AO6602L AO6604 AO6604L_001 AO6608 AO6701 AO6704 AO6800