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AOB411L_001

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  • AOB411L_001
    AOB411L_001

    AOB411L_001

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 16049

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • TO-263-3, D虜Pak (2 L

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AOB411L_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 60V 8A TO263
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 8A(Ta),78A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 16.5 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 100nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 6400pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • 2.1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝
  • TO-263(D2Pak)
  • 標準包裝
  • 1
AOB411L_001 技術參數
  • AOB411L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta),78A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB409L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta),31.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2953pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB29S50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1312pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),58A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1670pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB296L 功能描述:MOSFET N CH 100V 9.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9.5A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB462L AOB470L AOB480L AOB482L AOB4S60L AOB5B60D AOB5B65M1 AOB7S60L AOB7S65L AOB9N70L AOB-IBRS232 AOC2401 AOC2403 AOC2411 AOC2412 AOC2413 AOC2414 AOC2415
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