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AOB7S65

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AOB7S65
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

AOB7S65
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
AOS
TO-263
22+
-
全新原裝現貨供應

AOB7S65
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
AOS
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AOB7S65
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
118992
YXYBDT臺灣
TO-263
2024+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

AOB7S65
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
AOS/萬代
TO-263
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

AOB7S65
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
5505
AOS
TO-263
2239+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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制造商
AOSMD
制造商全稱
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
650V 7A a MOS Power Transistor

AOB7S65 技術參數

AOB7S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:372pF @ 100V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:1 AOB5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開關能量:80μJ（開），70μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:14nC 25°C 時 Td（開/關）值:8.5ns/106ns 測試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:195ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:1 AOB5B60D 功能描述:IGBT 600V 23A 82.4W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:82.4W 開關能量:140μJ（開），40μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:9.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/83ns 測試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:98ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:800 AOB4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:1 AOB482L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:1 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422 AOC2423 AOC2800 AOC2802 AOC2802_001 AOC2804 AOC2804B AOC2806 AOC2870 AOC3860 AOC3862 AOC3864 AOC3868 AOC4810 AOCJY-10.000MHZ

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