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AOD418A

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AOD418A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
AOS
TO-252
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨！

AOD418A
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
8500
AOS
TO-252
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

AOD418A
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
12500
AOS
TO-252
12+pbf
-
全新原裝現貨

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AOD418A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AOD418A 技術參數

AOD4189 功能描述:MOSFET P-CH 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:1 AOD4186 功能描述:MOSFET N-CH 40V 10A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:2,500 AOD4185L_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:最後搶購標準包裝:2,500 AOD4185L_003 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 AOD4185L 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:初步 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 AOD444 AOD4454 AOD446 AOD446_001 AOD450 AOD4504 AOD452 AOD452AL_008 AOD454A AOD456 AOD456A AOD458 AOD464 AOD468 AOD472 AOD472A AOD474 AOD474A