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AON2701L

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  • AON2701L
    AON2701L

    AON2701L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • QFN

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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON2701L 技術參數
  • AON2701_001 功能描述:MOSFET P-CH W/DIODE DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):700pF @ 10V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN(2x2) 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 標準包裝:3,000 AON2701 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標準包裝:3,000 AON2420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):552pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標準包裝:1 AON2411 功能描述:MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 12A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2180pF @ 6V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN(2x2) 標準包裝:1 AON2410 功能描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):813pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標準包裝:1 AON2803 AON2809 AON2810 AON2812 AON2880 AON3402 AON3414 AON3419 AON3611 AON3613 AON3806 AON3810 AON3814 AON3816 AON3816_101 AON3818 AON3820 AON4407
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