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AON4701L

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型號
供應商
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價格
說明
操作

AON4701L
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
20000
原廠品牌
原廠標準封裝
14+
-
全新原裝，進口現貨，準時交貨，量大優惠

AON4701L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ALPHA
DFN8
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AON4701L
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
90960
ALPHA&OME
DFN-8
06+
-
全新原裝現貨

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制造商
AOSMD
制造商全稱
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

AON4701L 技術參數

AON4605_002 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:最後搶購標準包裝:3,000 AON4605_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x2）標準包裝:1 AON4605 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x2）標準包裝:3,000 AON4421_001 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x2）標準包裝:1 AON4421 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x2）標準包裝:1 AON5802B_101 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224