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AON4703=P-CHANNEL 20-V(6A) MOSFET

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AON4703=P-CHANNEL 20-V(6A) MOSFET PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
AON4703=P-CHANNEL 20-V(6A) MOSFET 技術參數
  • AON4703 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式） 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 3.4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（3x2） 標準包裝:1 AON4605_002 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:最後搶購 標準包裝:3,000 AON4605_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（3x2） 標準包裝:1 AON4605 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（3x2） 標準包裝:3,000 AON4421_001 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（3x2） 標準包裝:1 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226
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