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AON6556

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    AON6556

    AON6556

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • AOS萬代

  • DFN5x6B8L

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AON6556 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AON6556 技術參數
  • AON6554 功能描述:MOSFET N CH 30V 36A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.9 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3020pF @ 15V 功率 - 最大值:5.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:3,000 AON6548 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):52A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4290pF @ 15V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6546 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1210pF @ 15V 功率 - 最大值:5.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:3,000 AON6544 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5910pF @ 15V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6542 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):951pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6586 AON6588 AON6590 AON6594 AON6596 AON6598 AON6702 AON6718L_101 AON6748_101 AON6748_102 AON6752 AON6754 AON6756 AON6756_101 AON6758 AON6758_101 AON6758_102 AON6758_103
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