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AON7264E

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AON7264E
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
con
24+
-
場效應管

AON7264E
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
5000
HXY MOSFET華軒陽電子
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

AON7264E
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
con
24+
-
場效應管

AON7264E
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
5000
AOS
DFN8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

AON7264E
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
5000
HXY MOSFET華軒陽電子
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

AON7264E
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
5000
DFN3x3
AOS
24+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

AON7264E
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯系人：莫
電話：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮林村大道445號北鉅業大夏319室
20000
AOS
DFN
-

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AON7264E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AON7264E PDF下載

功能描述
MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
28A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
25nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
27.5W (Tc)
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
9.5 毫歐 @ 17A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-DFN-EP（3x3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
標準包裝
5,000

AON7264E 技術參數

AON7262E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），34A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1650pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5W（Ta），43W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 AON7254 功能描述:MOSFET N-CH 150V 17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Ta），17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:54 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:675pF @ 75V 功率 - 最大值:4.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）標準包裝:1 AON7246E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:755pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:24W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.2 毫歐 @ 13A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:5,000 AON7246_101 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1610pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（3x3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:5,000 AON7246 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta），34.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1610pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:1 AON7400AL_102 AON7400AL_103 AON7400B AON7400B_101 AON7401 AON7402 AON7402_101 AON7402L AON7403 AON7403L_001 AON7404 AON7405 AON7406 AON7407 AON7408 AON7409 AON7410 AON7410L_101