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AOT10N60_001

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AOT10N60_001
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
38940
Alpha & Omega Semiconduct
TO-220-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
管件
零件狀態
過期
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
750 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1600pF @ 25V
功率 - 最大值
250W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220-3
標準包裝
1

AOT10N60_001 技術參數

AOT10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT10B65M2 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:150W 開關能量:180μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/91ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:262ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT10B65M1 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:150W 開關能量:180μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/91ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:262ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 163W TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:163W 開關能量:260μJ（開），70μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:17.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/72ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:105ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOSD62666E 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 9.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:755pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W (Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AOT11N60L AOT11N70 AOT11S60L AOT11S65L AOT12N30L AOT12N40L AOT12N50 AOT12N60 AOT12N60_001 AOT12N60FD AOT12N65 AOT12N65_001 AOT13N50 AOT1404L AOT14N50 AOT14N50FD AOT15B60D AOT15B65M1