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AOTF10N60_003

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說明
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AOTF10N60_003
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
2604
Alpha & Omega Semiconduct
TO-220-3 Full Pack
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
管件
零件狀態
過期
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
750 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1600pF @ 25V
功率 - 最大值
50W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商器件封裝
TO-220-3F
標準包裝
1

AOTF10N60_003 技術參數

AOTF10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF10N50FD_001 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1 AOTF10N50FD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF10B65M2 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:30W 開關能量:180μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/91ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:262ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOTF10B65M1 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:30W 開關能量:180μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/91ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:263ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOTF11C60 AOTF11C60_001 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L AOTF12N30 AOTF12N50 AOTF12N60 AOTF12N60FD AOTF12N60FD_001 AOTF12N60L