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AOWF25S65

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
AOWF25S65 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • aMOS™
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOWF25S65 技術參數
  • AOWF240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),83A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3510pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF20S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):199 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1038pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF15S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):841pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF15S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):717pF @ 100V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF14N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2297pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOY2610E AOY2N60 AOY4158P AOY423 AOY514 AOY516 AOY526 AOY528 AOZ1012DI AOZ1014AI AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL
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