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AP01N60H MOS(場效應管)

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AP01N60H MOS(場效應管) 技術參數
  • AP01CWS 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:2,500 AP01CWK 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:2,500 AP01CV1 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 AP01CV0 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 AP01CV 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 AP0201AT2L00XEGAH3-GEVB AP0201ATSL00XEGAH-GEVB AP0202AT2L00XPGA0-DR AP0202AT2L00XPGA0-TR AP0202AT2L00XPGAH3-GEVB AP031 AP031A101JQT2A AP031A220JQT2A AP031C102KQT2A AP031C103KQT2A AP033 AP033-ATTN AP034 AP034-DA10 AP035A101JQT2A AP035A220JQT2A AP03X-OFFSET-PIN A-P04BFFA-S180-WP
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