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APT1001RSVRG

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT1001RSVRG
    APT1001RSVRG

    APT1001RSVRG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-268-3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APT1001RSVRG
    APT1001RSVRG

    APT1001RSVRG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • MS

  • 06+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT1001RSVRG
    APT1001RSVRG

    APT1001RSVRG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 736

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APT1001RSVRG
    APT1001RSVRG

    APT1001RSVRG

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
APT1001RSVRG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 11A D3PAK
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • POWER MOS V®
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
APT1001RSVRG 技術參數
  • APT1001RBN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1000V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 5.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT1001R6BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1320pF @ 25V 功率 - 最大值:266W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT1001R1BN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1000V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.5A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 5.25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APSX750 功能描述:INVERTER 750W 12VDC OR 230VAC 制造商:tripp lite 系列:PowerVerter? 零件狀態:有效 類型:反相器,UPS 電壓 - 輸出:230VAC 電壓 - 輸入:12VDC,230VAC AC 插座:2 連接器 - AC 輸出:IEC 320-C13 連接器 - 電壓輸入:端子,AC 電源輸入端(IEC-320 C14) 功率 - 輸出連續:750W 功率 - 輸出浪涌:1500W 遠程功能:是 使用地區:國際通用 尺寸:9.00" 長 x 8.75" 寬 x 7.00" 高(228.6mm x 222.3mm x 177.8mm) 特性:用于UPS 模式的自動功率傳輸,電池充電器 重量:19 磅(8.6kg) 標準包裝:1 APSX6048VRNET 功能描述:INTL INVERTER CHARGER 6000W 48V 制造商:tripp lite 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:1 APT10045B2LLG APT10045JLL APT10078BLLG APT10078SLLG APT10090BFLLG APT10090BLLG APT100DL60BG APT100DL60HJ APT100F50J APT100GF60JU2 APT100GF60JU3 APT100GLQ65JU2 APT100GLQ65JU3 APT100GN120B2G APT100GN120J APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G
配單專家

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