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APT10SCE120B

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT10SCE120B
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-247-2
25+
-
國產品牌，替代進口

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1

您是不是要找： APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL

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功能描述
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態
停產
二極管類型
碳化硅肖特基
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
1200V
電流 - 平均整流（Io）
43A（DC）
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.8V @ 10A
速度
無恢復時間 > 500mA（Io）
反向恢復時間（trr）
0ns
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
200μA @ 1200V
不同?Vr，F 時的電容
630pF @ 1V，1MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-2
供應商器件封裝
TO-247
工作溫度 - 結
-55°C ~ 175°C
標準包裝
30

APT10SCE120B 技術參數

APT10SCD65KCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:17A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:300pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:17A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:300pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD120K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A Through Hole TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 APT10SCD120BCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:36A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:600pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:36A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:600pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:30 APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W