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APT11GF120BRD1

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  • APT11GF120BRD1
    APT11GF120BRD1

    APT11GF120BRD1

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 12912

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2024+

  • -
  • 代理商庫房現貨

  • APT11GF120BRD1
    APT11GF120BRD1

    APT11GF120BRD1

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • APT11GF120BRD1
    APT11GF120BRD1

    APT11GF120BRD1

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • APT

  • 08+/pb

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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APT11GF120BRD1 技術參數
  • APT11F80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2471pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):337W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA 標準包裝:1 APT11F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2471pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT10SCE170B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1700V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1700V 電流 - 平均整流(Io):23A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1700V 不同?Vr,F 時的電容:1120pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:30 APT10SCE120B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V 電流 - 平均整流(Io):43A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:630pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:30 APT10SCD65KCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):17A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr,F 時的電容:300pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY
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