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APT1201R6SVFRG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT1201R6SVFRG
    APT1201R6SVFRG

    APT1201R6SVFRG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-268-3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
APT1201R6SVFRG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • POWER MOS V®
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
APT1201R6SVFRG 技術參數
  • APT1201R4BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2030pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT11N80KC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):450 毫歐 @ 7.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 680μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT11N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):450 毫歐 @ 7.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 680μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT11GF120KRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):44A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 開關能量:300μJ(開),285μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:65nC 25°C 時 Td(開/關)值:7ns/100ns 測試條件:800V,8A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT11GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 開關能量:300μJ(開),285μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:65nC 25°C 時 Td(開/關)值:7ns/100ns 測試條件:800V,8A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W
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