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APT13003EZ-G1

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制造商
BCDSEMI
制造商全稱
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
功能描述
HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

APT13003EZ-G1 技術參數

APT13003EU-G1 功能描述:TRANS NPN 465V 1.5A TO126 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:465V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:13 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:4,000 APT13003DZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.1W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:1 APT13003DU-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO126 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:4,000 APT13003DI-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO251 制造商:diodes incorporated 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:3,600 APT12M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2470pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT13005DT-G1 APT13005SI-G1 APT13005STF-G1 APT13005SU-G1 APT13005TF-G1 APT13005T-G1 APT13F120B APT13F120S APT13GP120BDQ1G APT13GP120BG APT13GP120KG APT14050JVFR APT14F100B APT14F100S APT14M100B APT14M100S APT14M120B APT150GN120J