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APT13003SZTR-G1 IC

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APT13003SZTR-G1 IC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT13003SZTR-G1 IC 技術參數

APT13003SZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.3A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.1W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,000 APT13003SU-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.3A TO126 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:4,000 APT13003NZTR-G1 功能描述:IC POWER TRANSISTOR HV TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:1 APT13003LZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 40mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:6 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,000 APT13003HZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 465V 1.5A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:465V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:13 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.1W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:1 APT13F120S APT13GP120BDQ1G APT13GP120BG APT13GP120KG APT14050JVFR APT14F100B APT14F100S APT14M100B APT14M100S APT14M120B APT150GN120J APT150GN120JDQ4 APT150GN60B2G APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG