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APT15GP90BDQ1G

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封裝
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價格
說明
操作

APT15GP90BDQ1GMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APT15GP90BDQ1G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT15GP90BDQ1G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
19875
APT/ MICROSEMI
Standard
2025+
-
頂級代理原裝現貨假一賠十

APT15GP90BDQ1G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-247
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT15GP90BDQ1G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

APT15GP90BDQ1G
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
MICRO-SEMI
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT15GP90BDQ1G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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APT15GP90BDQ1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
IGBT 900V 43A 250W TO247
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT15GP90BDQ1G 技術參數

APT15GP60KG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），121μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT15GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），121μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT15GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），120μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT15GP60BDLG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:不適用於新設計 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），121μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT15GN120KG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 開關能量:410μJ（開），950μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/150ns 測試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:30 APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK APT1608SECK/J3-PRV

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