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APT200GT60JRDL

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  • APT200GT60JRDL
    APT200GT60JRDL

    APT200GT60JRDL

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • APT

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  • 2021+

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  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • APT200GT60JRDL
    APT200GT60JRDL

    APT200GT60JRDL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • APT

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APT200GT60JRDL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
APT200GT60JRDL 技術參數(shù)
  • APT200GT60JR 功能描述:IGBT 600V 195A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):195A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):25μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):8.65nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):25μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):25μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC APT2012ZGC
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