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APT28F60S

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APT28F60S
    APT28F60S

    APT28F60S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • D3S

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

  • APT28F60S
    APT28F60S

    APT28F60S

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐

    電話：134878658521852080514813760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 95546

  • Microsemi Corporation

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • APT28F60S
    APT28F60S

    APT28F60S

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生

    電話：137602720171852080514813487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 71860

  • Microchip / Microsemi

  • D3PAK-3

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
APT28F60S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
APT28F60S 技術(shù)參數(shù)
  • APT28F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5575pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT27ZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 40mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:6 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT27HZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 40mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:6 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 基本零件編號(hào):APT27 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT27GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:48A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):79A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，14A 功率 - 最大值:223W 開(kāi)關(guān)能量:413μJ（開(kāi)），287μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:62nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:9ns/98ns 測(cè)試條件:600V，14A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT26M100JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:305nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7868pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:396 毫歐 @ 18A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J APT2X101D40J APT2X101D60J APT2X101DL40J APT2X101DQ100J APT2X101DQ120J APT2X101DQ60J APT2X101S20J APT2X150DL60J APT2X151DL60J
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