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APT40DQ100BCTG

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說明
操作

APT40DQ100BCTG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-247B
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT40DQ100BCTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT40DQ100BCTG
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
7866
APT
TO-247
10+
-
絕對公司原裝現貨

APT40DQ100BCTG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
10571
Microchip / Microsemi
TO-247-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT40DQ100BCTG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
APT(MICROSEMI)
TO-247 [B]
14+
-

APT40DQ100BCTG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
APT(MICROSEMI)
TO-247 [B]
14+
-
全新原裝100%正品保證質量

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APT40DQ100BCTG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
DIODE ULT FAST 2X40A 1000V TO247
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列
系列
-
其它有關文件
STTH10LCD06C View All Specifications
標準包裝
1,000
系列
-
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
2V @ 5A
電流 - 在 Vr 時反向漏電
1µA @ 600V
電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）
5A
電壓 - (Vr)（最大）
600V
反向恢復時間(trr)
50ns
二極管類型
標準
速度
快速恢復 = 200mA（Io）
二極管配置
1 對共陰極
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
產品目錄頁面
1553 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
497-10107-2

APT40DQ100BCTG 技術參數

APT40DC60HJ 功能描述:RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:不適用於新設計二極管類型:單相技術:碳化硅肖特基電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 40A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:800μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT40DC120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 1200V 40A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相，碳化硅肖特基電壓 - 峰值反向（最大值）:1200V 電流 - DC 正向（If）:40A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT39M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT39F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT38N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:112nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2826pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:278W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 18A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3 APT40GLQ120JCU2 APT40GP60B2DQ2G APT40GP60BG APT40GP60JDQ2 APT40GP60SG APT40GP90B2DQ2G APT40GP90BG APT40GP90J APT40GP90JDQ2 APT40GR120B APT40GR120B2D30 APT40GR120B2SCD10 APT40GR120S APT40GT60BRG APT40M35JVFR APT40M42JN