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APT45GR65B2DU30

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APT45GR65B2DU30
    APT45GR65B2DU30

    APT45GR65B2DU30

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world, A棟2203A

  • 32218

  • Microsemi Corporation

  • TO-247-3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • APT45GR65B2DU30
    APT45GR65B2DU30

    APT45GR65B2DU30

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 59007

  • Microchip / Microsemi

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
APT45GR65B2DU30 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2]
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • IGBT 類型
  • NPT
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 650V
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 118A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
  • 224A
  • 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on)
  • 2.4V @ 15V,45A
  • 功率 - 最大值
  • 543W
  • 開關(guān)能量
  • *
  • 輸入類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷
  • 203nC
  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值
  • 15ns/100ns
  • 測(cè)試條件
  • 433V,45A,4.3 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • 80ns
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • T-MAX? [B2]
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APT45GR65B2DU30 技術(shù)參數(shù)
  • APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:900μJ(開),580μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 電流 - 集電極截止(最大值):750μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):3.94nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ(開),904μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:18ns/102ns 測(cè)試條件:600V,45A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):113A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ(開),905μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:18ns/100ns 測(cè)試條件:600V,45A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG
配單專家

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免責(zé)聲明:以上所展示的APT45GR65B2DU30信息由會(huì)員自行提供,APT45GR65B2DU30內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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