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APT50M60JN

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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • APT50M60JN
    APT50M60JN

    APT50M60JN

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APT

  • 主營模塊

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • APT50M60JN
    APT50M60JN

    APT50M60JN

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • APT50M60JN
    APT50M60JN

    APT50M60JN

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • APT

  • 主營模塊

  • 23+

  • -
  • 全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

  • APT50M60JN
    APT50M60JN

    APT50M60JN

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 13700

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2024+

  • -
  • 代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • APT50M60JN
    APT50M60JN

    APT50M60JN

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT場效應(yīng)

  • 模塊

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APT50M60JN PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
APT50M60JN 技術(shù)參數(shù)
  • APT50M50JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):71A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 35.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10550pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50M38JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):88A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 44A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12000pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT50GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,50A 功率 - 最大值:446W 開關(guān)能量:995μJ(開),1070μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:240nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:14ns/240ns 測試條件:400V,50A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,50A 功率 - 最大值:446W 開關(guān)能量:995μJ(開),1070μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:240nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:14ns/240ns 測試條件:400V,50A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):22ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):106A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 功率 - 最大值:694W 開關(guān)能量:2585μJ(開),1910μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:240nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:23ns/215ns 測試條件:800V,50A,1 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6 APT54GA60B APT54GA60BD30 APT5510JFLL APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2
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